中经记者 吴清 北京报道
2026年的春天，存储芯片行业正在经历一场狂欢。
32G内存条从800元飙升至3800元，DDR5服务器合约价一个季度内涨了近一倍，半导体部门2025年第四季度利润同比暴涨250%，美光科技单季营收同比翻了近3倍，SK海力士的营业利润率逼近60%——这些数字都指向了由AI引爆的“内存超级周期”。
然而，就在市场一片欢腾之际，作为内存行业双雄的三星和SK海力士，却在近期与摩根士丹利等主要投资银行的路演中，向外界释放了明显的扩产克制信号。日前，市场分析机构TrendForce预计，2026年DRAM行业资本支出增速仅为14%，远低于历史扩张周期30%—50%的水平。
为何在业绩增长迅猛的时刻，巨头们扩产却如此谨慎？这背后，是被历史反复验证的、刻在内存行业骨子里的“周期魔咒”。“就在去年夏天，三星和SK海力士都还无法预料到如今这种繁荣局面。”一位熟悉三星内部情况的人士向《中国经营报》记者透露，三星DS事业部管理层正与业务支持团队共同研判一个关键时间点——2028年。届时，全球主要存储厂商的扩产产能将集中释放，供需平衡可能面临重新洗牌的风险。
高利润下的“刹车”
3月18日，三星电子在首尔召开年度股东大会。共同执行长全永铉向外界宣告，AI数据中心投资正带动存储业进入“史无前例的超级循环”。公布的财报数字也很亮眼，2025年第四季度，三星存储业务营业利润同比暴增465%，SK海力士三大指标均创历史新高。同一天，美光科技公布了一份令人惊艳的财报：2026财年第二财季营收238.6亿美元，同比增长196%，毛利率飙升至74.4%。
按照传统剧本，当DRAM价格飙升、订单排到两年后，厂商应该做的事情只有一件——拼命扩产。
但这一次，剧本变了。TrendForce最新预计，2026年DRAM行业资本支出约为613亿美元，同比增长约14%，远低于历史扩张周期30%—50%的增速水平。三星2026年DRAM产能预计仅增长约5%，这与市场需求的增速形成了巨大反差。
“三星和SK海力士对于增加DRAM产量持谨慎态度，担心过于激进的扩张可能导致AI需求稳定后出现供应过剩。”一位长期跟踪存储行业的分析师告诉记者。
这种谨慎部分源于一个核心变量：HBM（高带宽内存）的结构性挤占。
HBM的制造需要先进的硅通孔堆叠技术，目前良率在50%—60%徘徊，每生产一颗AI级存储芯片，实际消耗的产能相当于3—4颗标准PC内存芯片。三大厂商将18%—28%的DRAM产能分配给HBM，直接压缩了通用内存的供给。
蓉和半导体咨询公司CEO吴梓豪根据三大DRAM内存原厂公开的2025—2027年扩产情况分析，三星电子、SK海力士和美光科技在2025年都在砍掉DDR4产能，全面转入DDR5，这种产能转换空窗期为10—14个月。
与此同时，SK海力士2026年HBM产能在2025年年底已全部预售给英伟达、AMD等核心客户。这解释了为何在通用DRAM市场，供需失衡会如此严重。
HBM的大赢家在主动踩刹车。SK海力士2025年在内存领域的资本支出为28万亿韩元，其中85%—90%投入DRAM，而HBM相关投资同比却下降了50%——主要是因为对2027年可能出现供给过剩的担忧。
相比之下，美光科技相对激进。其2026年资本开支预计超过250亿美元，同比增长超20%，重点投向1-gamma制程节点和TSV设备扩张。但即便是美光，其位于博伊西的新晶圆厂最早也要到2027年才能投产。
这揭示了一个残酷的现实：不管厂商们现在砸多少钱，短期内对整体供给的影响都是有限的。
2028年的“达摩克利斯之剑”
“DRAM价格自2025年第三季度以来已经翻了接近1倍。”深圳华强北的商户刘先生告诉记者，金士顿16G普条从去年四五月的200元左右，现在涨到了800多元。
最让厂商们不安的，并非眼前的价格，而是历史的重演。
记者梳理后发现，1993—1996年，个人电脑普及浪潮带动DRAM需求爆发，日本工厂爆炸加剧供应紧张，领先供应商毛利率一度远超50%。然而仅在1995—1996年，全球就有超过50座新晶圆厂宣布建设或投产。价格在1996年一年内暴跌75%，日本DRAM企业被迫陆续退出市场。
2017—2018年那轮超级周期，驱动力是服务器扩张和智能手机内存密度升级。2020—2021年疫情周期，远程办公催生PC出货量创10年新高。然而2022—2023年，随着通胀冲击消费，三星、SK海力士和美光不得不相继实施战略性减产来稳定价格，有些季度的毛利率甚至跌成负数。
“上一轮周期把所有人都烧伤了。没有人想要过度建设。但建设不足同样有后果，所以三大内存大厂选择了谨慎扩产。”上述存储行业分析师表示。
实际上，三星和SK海力士等在这一轮都选择了“谨慎乐观”。
近期，三星内部已在认真研判2028年前后的市场走势。据知情人士透露，三星DS事业部管理层与业务支援室已将2028年前后视为潜在的市场反转节点。核心逻辑在于：随着各大厂商持续扩产，到2028年前后，三星、SK海力士与美光的产能将集体跃升至新量级。
美光爱达荷州500亿美元新厂预计2027年年中投片，新加坡工厂2028年开始量产出货；SK海力士龙仁园区预计2027年年底量产；三星平泽园区扩建和下一代DRAM制程转换也在推进中。这些产能的集中释放，让厂商们不得不警惕。
更令人担忧的是需求端的确定性。本轮AI需求的可持续性存在较大不确定性。谁也不知道，这场由英伟达和互联网公司引领的AI基础设施投资热潮，会在什么时候踩下刹车。一旦需求放缓，而新产能又恰巧集中释放，历史性的价格崩盘或将重演。
存储行业过去30年的每一轮下行周期，都在系统性淘汰弱者。从20世纪90年代中期约20家规模较大的DRAM供应商，到今天剩下3—4家寡头，整合的代价惨烈。
吴梓豪对记者表示，上一轮存储周期震荡，让三大内存厂的扩产变得相对保守，即便在涨势凶猛的2025年年末、2026年年初，产业供需出现严重失衡，三大内存厂仍维持着保守扩产，目的可能是要维持DRAM长期价格高位。
业内人士认为，这一次的不同之处在于：AI的需求曲线比以往任何一次都更难预测。云计算厂商和超大规模数据中心对存储价格的敏感度低，但它们的投资节奏受宏观经济、资本市场甚至监管政策左右，而这些变量内存厂商很难控制。
而且扩产困境就像一个无解的悖论：最应该大举投资的时候，恰恰是账上钱最少的时候；而等到景气复苏、利润回升，新产能从投资决策到量产至少需要2—3年，等它落地，市场供需很可能已再次翻转。
中国台湾内存大厂南亚科总经理李培瑛直言，过去那种产能“杀戮战”已成历史，产业正进入理性竞争新阶段。
因此，三星选择谨慎扩产，SK海力士选择在扩张中刻意降低HBM投资比例，美光选择退出消费端、押注高利润赛道。三家厂商都试图在这一个周期里挣得更多，且避免成为下一个周期的牺牲品。
（编辑：张靖超 审核：李正豪 校对：燕郁霞）
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